台积电追加100亿美元投资亚利桑那，使在美总投资达265亿美元，规划晶圆厂增至12座。Foxconn、广达、纬创等五家台企同步加速美国建厂。其技术路线图明确1.4nm（2027风险试产）、1.3nm（2029量产）、1.2nm（2029量产）三阶段演进，Q2营收40.2亿美元、净利21.99亿美元，全年资本支出上调至60–64亿美元。
据 english.cw.com.tw 报道，台积电（TSMC）宣布追加 100 亿美元投资其亚利桑那州凤凰城园区，使其在美总投资额达 265 亿美元，并计划建设至少 4 座先进晶圆厂，使在美晶圆厂总数达 12 座。
亚利桑那冲击波：四座新厂与 2 纳米以下制程落地
此次追加投资将用于建设至少 4 座全新先进晶圆厂，全部聚焦于 2 纳米（2nm）及更先进节点的量产，并配套建设关键先进封装设施（如 CoWoS）。此前台积电已在凤凰城布局 8 座晶圆厂，新增后总规划达 12 座。这些设施将直接服务于美国本土 AI 硬件客户，满足其对高带宽、低功耗芯片的迫切需求。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家（C.C. Wei）在第二季度财报发布后正式公布该计划。尽管消息公布当日台积电台北股价单日下跌 7.3%，但行业普遍认为这是结构性调整的开端而非短期波动。
供应链连锁反应：五家核心台企同步启动美国资本支出
为匹配台积电亚利桑那产能扩张节奏，多家台湾关键供应链企业正加速推进在美投资。原文明确列出五家已确定响应的企业：Foxconn、Quanta Computer、Wistron、Wiwynn，以及台积电的关键材料与设备供应商。这些企业将围绕凤凰城枢纽布局，构建覆盖晶圆制造、系统集成、服务器组装及先进封装的端到端美国本土 AI 硬件供应链。
一位不愿具名的半导体行业分析师指出：“美国科技巨头作为高端 AI 加速器的主要采购方，持续向台积电施压，要求其将最先进制程——包括 2 纳米及以下节点——落地美国本土，以保障供应韧性。”
技术路线图：进入“埃米时代”的三阶段演进
为支撑长期扩产，台积电同步公布了其亚 2 纳米技术路线图，明确三阶段时间节点与核心创新：
- A14（1.4 纳米）：风险试产定于 2027 年，量产时间为 2028 年，采用纳米片晶体管与 NanoFlex™ Pro 技术，可实现 15% 速度提升及>20% 逻辑密度增长；
- A13（1.3 纳米）：计划于 2029 年量产，通过 97% 光学微缩实现 6% 面积缩减，并与 A14 完全兼容；
- A12（1.2 纳米）：同样于 2029 年量产，首次引入背面供电（Backside Power Delivery）技术，彻底消除电压降问题，专为高功率云端 AI 服务器优化。
云快递研究院政治经济与产业研究所副所长、资深行业分析师柴信永（Nobunaga Chai）表示：“今年资本开支的大幅上调，以及追加的 100 亿美元亚利桑那投资，令许多分析师措手不及。这必然导致公司毛利率出现稀释。”
财务基本面强劲：Q2 营收 40.2 亿美元，净利 21.99 亿美元
市场短期波动未掩盖台积电坚实的业绩基础。其第二季度营收达 40.2 亿美元，超出指引上限；净利润高达 21.99 亿美元（折合新台币 706.56 亿），毛利率维持在 67.7%，营业利润率 60.3%。受 AI 需求驱动，公司已将全年资本支出上调至 60 亿至 64 亿美元，全年营收增长预测上调至美元计价略高于 40%。
值得注意的是，台积电零售投资者迅速响应股价回调：当日台湾“零股”交易量飙升至 2058 万股，较前一交易日激增 12 倍。
双速半导体市场：AI/HPC 缺口锁定多年产能
台积电业绩呈现典型“双速”特征：消费电子终端（智能手机、PC）市场仍处价格敏感与谨慎补库阶段；而 AI 与高性能计算（HPC）领域需求则“全速运转”，已形成持续多年的供应缺口。通过将最先进制程与封装技术锚定亚利桑那，台积电实质宣告：全球技术瓶颈的物理中心正在向美国转移，而其对这一瓶颈的控制力并未减弱。
台积电此举亦被解读为对地缘政治现实的务实回应。另一名分析师强调：“特朗普政府施加了相当大的压力，要求台积电在美国本土生产 2 纳米及以下的领先芯片。但昨日公告恰恰印证，台积电相较英特尔与三星的技术领先优势仍在持续扩大。”
本文编译自海外媒体报道，由 SCI.AI 编辑团队整理发布。
