SK海力士宣布2024—2030年在韩国本土投资713亿美元，聚焦HBM3内存扩产与先进封装建设。首期120亿美元已于2024年启动，目标2026年HBM3月产能达50万片晶圆；龙仁新封装厂占地24万平方米，2025年Q4投产。公司承诺2027年前关键材料国产化率达65%，巩固其全球HBM市场52.3%份额地位。
据 EE Times 报道，韩国半导体巨头 SK 海力士（SK Hynix）于 2024 年 6 月正式公布一项总额达 713 亿美元的国内投资计划，全部资金将用于提升其在韩国本土的 AI 高性能内存制造能力及先进封装技术研发。
投资规模与时间表
该计划覆盖 2024 至 2030 年共七年周期，其中 2024 年启动首期投资 120 亿美元，重点扩建位于利川（Icheon）和龙仁（Yongin）两大生产基地的 HBM3（高带宽内存第三代）产线。据原文报道，SK 海力士预计到 2026 年将 HBM3 月产能提升至 50 万片晶圆，较 2023 年实际产出增长 3.2 倍。
技术路线与产能布局
投资中约 380 亿美元明确指定用于先进封装研发与量产设施建设，包括在龙仁新建一座占地 24 万平方米的专用封装厂，预计 2025 年 Q4 投产。该厂将整合 TSV（硅通孔）、混合键合（Hybrid Bonding）及 2.5D/3D 异构集成技术，目标是使单颗 AI 加速器芯片可搭载的 HBM 堆叠层数从当前 4 层提升至 8 层以上。原文数据显示，SK 海力士已为该封装平台投入研发人员超 1,800 人，并计划 2025 年底前完成全部工艺验证。
供应链协同与本地化要求
作为投资前提，SK 海力士与韩国政府签署《半导体产业生态强化协议》，承诺核心设备国产化率在 2027 年前达 65%。目前其 HBM3 产线中光刻胶、蚀刻气体、CMP 抛光液等关键材料的韩国本土采购比例分别为 42%、58% 和 33%。公司首席执行官李锡熙（Lee Seok-hee）表示：“我们不是单纯扩大产能，而是重构整个 AI 内存供应链——从硅片、光刻、封装到测试，必须实现端到端可控。”
全球竞争格局影响
此项投资直接对标三星电子 2023 年公布的 230 万亿韩元（约合 170 亿美元）半导体投资计划，以及美光科技在爱达荷州新建 HBM 工厂的 30 亿美元预算。据原文报道，2024 年第一季度全球 HBM 市场份额中，SK 海力士以 52.3% 居首，三星占 39.7%，美光为 8.0%。SK 海力士此次 713 亿美元押注，将使其在 2025 年 HBM 总产能中占据全球供应量的 61%，远超行业第二名。
来源：EE Times
本文编译自海外媒体报道，由 SCI.AI 编辑团队整理发布。
