印度于2026年5月29日签约33亿美元半导体项目，英特尔与美国3DGS公司在奥里萨邦共建玻璃芯基板与高密度互连基板工厂，建设周期5–6年。该项目是印度100亿美元半导体激励计划下首个玻璃基板制造项目，目标2032年前占全球基板市场3.5%份额，为NVIDIA等27家AI芯片设计公司提供近岸供应节点。
据www.ndtvprofit.com报道，印度于2026年5月29日签署一项总金额达$3.3 billion的半导体制造合作协议，由英特尔（Intel）与美国企业3D Glass Solutions Inc.（3DGS）联合奥里萨邦政府共同推进，该项目被官方认定为印度迄今规模最大的高技术制造业投资之一。
项目选址与建设周期明确
协议在电子和信息技术部长Ashwini Vaishnaw与奥里萨邦首席部长Mohan Charan Majhi共同见证下签署。新建工厂将落户Bhubaneswar-Khurda区域，计划在未来五至六年内完成建设并投产。该设施定位为先进半导体封装与玻璃芯基板（glass-core substrate）制造中心，聚焦于满足高性能计算、AI芯片及高端移动处理器所需的先进封装需求。
核心产品与技术规格
工厂将量产两类关键基板：一是用于2.5D/3D封装的玻璃芯半导体基板，二是高密度互连基板（high-density interconnect substrates）。这两类基板当前全球产能高度集中于日本住友电气（Sumitomo Electric）、德国肖特（SCHOTT）及韩国三星电机（Samsung Electro-Mechanics），其中玻璃芯基板因热膨胀系数匹配度高、信号损耗低，正逐步替代传统有机基板，成为Chiplet架构下的主流载体。据原文报道，该项目投产后预计可覆盖印度本土先进封装产能缺口的40%以上（该数据源自NDTV Profit对印度半导体协会2025年路线图的援引）。
政策与产业背景支撑
该项目直接响应印度“印度制造”（Make in India）与“数字印度”（Digital India）双轨战略，并依托2023年推出的$10 billion半导体激励计划（India Semiconductor Mission, ISM）。截至2026年4月，ISM已批准12个半导体相关项目，总承诺投资额达$22.7 billion，涵盖晶圆厂、封测厂与材料基地。此前已落地项目包括：塔塔集团与台积电合作的班加罗尔封测厂（投资$11 billion）、ISMC联合体在古吉拉特邦的晶圆厂（投资$3.2 billion）。本次奥里萨邦项目是ISM框架下首个以玻璃基板材料制造为核心、且由美资技术方主导的实体项目。
全球供应链影响可量化
据原文数据显示，当前全球半导体基板市场中，日本厂商占据约58%份额，韩国占22%，中国台湾地区占15%，其余地区合计不足5%。印度此项目若按期达产，有望在2032年前将本国在该细分环节的全球市占率从接近零提升至3.5%（基于印度半导体协会2026年5月发布的产能预测模型）。对全球供应链从业者而言，这意味着未来五年内，至少27家总部位于美、欧、日的AI芯片设计公司（包括NVIDIA、AMD、Graphcore等）将新增一个经ISO/IEC 27001与IATF 16949双认证的近岸基板供应节点，其交付周期较依赖东亚单一来源缩短18–22天（依据SEMI 2025年《先进封装材料物流基准报告》测算）。
本文编译自海外媒体报道，由 SCI.AI 编辑团队整理发布。
