韩国三星电子工会宣布推迟无限期罢工，双方谈判进入投票阶段。全球AI芯片需求激增推动HBM3E产能扩张，三星电子预计HBM销售额下半年将翻三倍。但罢工持续导致生产不确定性，SK Hynix与美光主导HBM3E市场。三星在DDR5与NAND市场占有率分别达37%与30%。摩根士丹利警示内存市场状况恶化。
据www.moomoo.com报道，韩国三星电子工会宣布将无限期罢工推迟，双方谈判进入投票阶段。此次变动发生在全球AI芯片需求激增、存储芯片供应链持续承压的背景下。据原文报道，三星电子与最大工会——韩国全国三星电子工会（NSEU）的 wage 谈判未能达成一致，双方在薪酬与福利问题上仍存在显著分歧。
全球AI存储芯片需求激增，HBM3E成关键瓶颈
随着NVIDIA H200与Blackwell架构的B200/GB200 AI GPU陆续推出，其配备的高带宽内存（HBM）均采用SK Hynix最新一代HBM3E技术。据原文数据显示，SK Hynix已成为NVIDIA HBM的首要供应商，其HBM3E产品已通过NVIDIA认证，并进入量产阶段。除SK Hynix外，美国存储巨头美光（Micron）亦为HBM3E主要供应商。全球HBM产能集中于韩国，其中SK Hynix与三星电子分列前两位。
三星电子在DRAM与NAND存储芯片市场占据领先地位。据原文报道，其在DDR4、DDR5等主流DRAM产品线的市场份额远超其他厂商，同时在SSD（固态硬盘）领域亦具明显优势。据行业数据，三星在2023年DDR5市场占有率达37%，NAND闪存市场占有率达30%，均位居全球第一。
罢工持续，谈判重启仍不确定
自本月早些时候起，韩国全国三星电子工会已发起无限期罢工，抗议工资与福利待遇问题。据原文报道，双方于7月8日启动全面罢工后，今日（原文未注明具体日期）为首次面对面谈判。然而，谈判结果仍未达成一致。据内部人士透露，双方在薪酬涨幅、福利调整及工会权利方面分歧明显，目前尚无恢复谈判的明确时间表。
在罢工期间，三星电子仍推进HBM3E芯片的量产计划。据原文报道，该公司预计HBM销售额将在2024年下半年实现三倍增长。这一增长预期与NVIDIA等AI芯片厂商对高带宽内存的强劲需求密切相关。尽管如此，罢工可能对HBM3E的产能爬坡构成实际影响。
行业影响：供应链承压，厂商加速应对
全球AI产业的快速发展正加剧对高性能存储芯片的依赖。据原文报道，SK Hynix与美光在HBM3E领域的竞争日益激烈，而三星正努力进入该核心供应体系。据行业观察，三星HBM3E芯片已通过NVIDIA审核，但尚未获大规模订单。据供应链消息，其HBM3E产能爬坡计划预计在2024年第三季度完成，但罢工可能延后交付周期。
与此同时，半导体行业整体面临库存压力。据原文报道，摩根士丹利在近期报告中下调SK Hynix评级，指出“内存市场状况开始恶化”，并认为DRAM与NAND价格可能进入下行通道。尽管AI需求支撑HBM市场，但传统存储芯片的供需平衡正面临挑战。
本文编译自海外媒体报道，由 SCI.AI 编辑团队整理发布。
